Detektè doub | Ekspozisyon kristal likid koulè 2.8 pous 320 * 240TFT | Lojman ki enpèmeyab ABS ki gen gwo fòs, rezistan a entèferans elektwomayetik | Sikwi plake lò pou analiz dijital miltikouch |
Processeur doub-nwayo gwo vitès | Kat memwa 16G gwo kapasite | Kab USB | Processeur retroiluminasyon koulè |
Chargeur gwo vitès | Bwat anbalaj ki enpèmeyab ak gwo fòs | Bouton fim pèsonalize | Batri ityòm gwo kapasite |
(1) Detektè kristal sintilasyon NaI ki gen gwo sansiblite oswa detektè fliyò ityòm
(2) Konsepsyon kontra enfòmèl ant, mezire yon varyete reyon: Alam rapid pou reyon χ ak γ nan 2 segonn, ak alam pou reyon netwon nan 2 segonn
(3) Operasyon doub bouton ak ekran LCD LCD, fasil pou opere, anviwònman fleksib
(4) Solid, anti-eksplozyon, apwopriye pou anviwònman difisil: nivo pwoteksyon IP65
(5) Adapte ak son anviwònman konplèks ak alam limyè
(6) Sipòte kominikasyon san fil Bluetooth (opsyonèl)
(7) Sipòte kominikasyon san fil WIFI (opsyonèl)
(8) Kat 16G a ka estoke gwoup done 40W
① Detektè prensipal la: sintilatè iyodid sodyòm φ30mm × 25mm + PMT
② Detektè adjwen: tib GM
③ Sansiblite a: Detektè prensipal la ≥420cps/μSv/h(137Cs;Detektè adjwen ≥15cpm/μSv/h
④ Prensipal ranje dòz detektè a: 10nSv/h ~ 1.5mSv/h
⑤ Dezyèm detektè dòz ranje: 0.1μSv/h ~ 150mSv/h
⑥ Ranje enèji: 20keV ~ 3.0MeV
⑦ Ranje enèji sond segondè: 40keV ~ 1.5MeV
⑧ Ranje dòz kimilatif: 1nSv ~ 10Sv
⑨ Erè intrinsèque relatif: ≤±15%
⑩ Repetitif: ≤±5%
⑪ Fason alam: son ak limyè
⑫ Anviwònman operasyon: Ranje tanperati: -40 ℃ ~ +50 ℃; Ranje imidite: 0 ~ 95% RH
⑬ Espesifikasyon Enstriman: Dimansyon: 275mm × 95mm × 77mm; pwa: 670g
① Detektè netwon
② 7105Li6
③ Kalite detektè:6LiI (Eu)
④ Ranje to dòz: 0.1μSv/h ~ 100mSv/h
⑤ Ranje enèji: 0.025eV ~ 14MeV